2019年年报：台积电市场占有率达52%

4月22日消息，据台湾媒体报道，台积电日前上传了2019年年报，披露了去年更多详细的运营信息。

台积电

台积电披露，去年为499个客户生产10761种不同的芯片，应用范围包括整个电子应用产业，包括个人电脑与其周边产品、资讯应用产品、有线与无线通讯系统产品、伺服器与数据中心、汽车与工业用设备以及包括数字电视、游戏机、数码相机等消费性电子、物联网及穿戴式装置，与其他许多产品与应用。

台积电表示，终端电子产品的快速演进，将促使客户采用台积电公司创新的技术与服务以追求差异化，同时也会更促进台积电公司自身的技术发展。

台积电2019年晶圆出货量达1,010万片12寸晶圆约当量，上年为1,080万片12寸晶圆约当量。

先进制程技术（16nm及以下更先进制程）的销售金额占整体晶圆销售金额的50%，高于上一年的41%。提供272种不同的制程技术。

台积电表示，去年在半导体制造领域市场占有率达52%，高于上一年的51%。

我们谈台积电的时候，很多时候会强调他们在先进工艺的实力，今天带大家看下台积电的逻辑制程技术方面的主要成就吧！

● 5纳米鳍式场效电晶体制程（Fin Field-Effect Transistor, FinFET）（N5）技术为台积公司推出的最新技术。此一领先全球的技术于2019已接获多个客户产品投片，包含行动通讯以及高效能运算产品，并预计于2020年上半年开始量产。

相较于7纳米FinFET（N7）技术，N5技术速度增快约15%，或者功耗降低约 30%。此外，N5技术自规划开始，便同时针对行动通讯与高效能运算应用提供优化的制程选项。

● 5纳米FinFET强效版（N5P）技术为N5技术的效能强化版技术，并采用相同的设计准则。相较于 N7技术，N5P技术速度增快约20%，或功耗降低约40%。N5P技术的设计套件预计于2019年第二季进行下一阶段 N5 技术更新时推出。

● 6纳米FinFET（N6）技术于2019年成功完成产品良率验证。由于N6技术采用极紫外光（ExtremeUltraviolet, EUV）微影技术，能够减少光罩数量，因此，如果与N7技术生产相同产品相较，采用N6技术生产可以获得更高的良率，并缩短产品生产周期。此外，与N7技术相较，N6技术的逻辑晶体管密度提高约 18％，加上因光罩总数减少而获得较高良率，能够协助客户在一片晶圆上，获得更多可用的晶粒。

另外，N6技术的设计法则与N7技术兼容，亦可大幅缩短客户产品设计周期和上市的时间。N6技术于2020年第一季开始试产，并预计于2020年底前进入量产。

● N7技术是台积公司量产速度最快的技术之一，并同时针对行动运算应用及高效能操作数件提供优化的制程。总计截至2019年底共接获超过100个客户产品投片，涵盖相当广泛的应用，包含行动装置、游戏机、人工智能、中央处理器、图形处理器，以及网络连接装置等。此外，7纳米FinFET强效版（N7+）技术于2019年开始量产，协助客户产品大量进入市场。N7+技术是全球集成电路制造服务领域首个应用极紫外光于商业运转的技术。此一技术的成功，除了证明台积公司领先全球的EUV技术量产能力，也为6纳米和更先进技术奠定良好基础。

● 12纳米FinFET精简型强效版（12nm FinFET Compact Plus, 12FFC+）技术与16纳米FinFET精简型强效版（16nm FinFET Compact Plus，16FFC+）技术系台积公司继16纳米FinFET强效版（16FF+） 技术、16纳米FinFET精简型（16nm FinFET Compact, 16FFC）技术及12纳米FinFET精简型（12nm FinFET Compact, 12FFC）技术之后，所推出的最新16/12纳米系列技术，拥有集成电路制造服务领域16/14纳米技术中最佳产品效能与功耗优势，并于2019年进入试产。

16FF+技术系针对高效能产品应用，包括行动装置、服务器、绘图芯片，及加密货币等产品。12FFC+、12FFC、16FFC+及16FFC则皆能支援客户主流及超低功耗（Ultra-LowPower, ULP）产品应用，包括中、低阶手机、消费性电子、数位电视、物联网等。总计目前 12FFC+、12FFC、16FFC+、16FFC、16FF+已接获超过 500个客户产品投片，其中绝大部分都是第一次投片即生产成功。

● 22纳米超低漏电（Ultra-Low Leakage, ULL）（22ULL）技术于2019年进入量产，能够支援物联网及穿戴式装置相关产品应用。同时，此一技术的低操作电压（Low Operating Voltage, Low Vdd）技术也于2019年准备就绪。与40纳米超低功耗（Ultra-Low Power, ULP）（40ULP）及55纳米ULP制程相较，22ULL技术提供新的ULL元件、ULL静态随机存取记忆体（Static Random Access Memory, SRAM），和低操作电压技术，能够大幅降低功耗。

● 22纳米ULP（22ULP）技术发展系根基于台积公司领先业界的28纳米技术，并于2019开始量产。与28纳米高效能精简型强效版（28nm High Performance Compact Plus, 28HPC+）技术相较，22ULP技术拥有芯片面积缩小10%，及效能提升10% 或功耗降低20%的优势，以满足影像处理器、数位电视、机上盒、智能型手机及消费性产品等多种应用。

● 28HPC+技术截至2019年底，总计接获超过300个客户产品投片。28HPC+ 技术进一步提升主流智能型手机、数位电视、储存、音效处理及系统单芯片等产品应用的效能或降低其功耗。与28纳米高效能精简型（High Performance Compact）（28HPC）技术相较，28HPC+ 技术能够进一步提升效能约15%或降低漏电约50%。

● 40ULP技术截至2019年底共接获超过100个客户产品投片。此技术支援多种物联网及穿戴式装置相关产品应用，包含无线网络连接产品、穿戴式应用处理器及微控制器（Micro Control Unit, MCU）（Sensor Hub） 等。此外， 台积公司采用领先的40ULP Low Vdd技术，为物联网产品及穿戴式联网产品提供低功耗的解决方案。新的强化版类比元件顺利开发中，将进一步强化40ULP平台，支援客户未来更广泛的类比电路设计。

● 55纳米ULP（55ULP）技术，截至2019年底共接获超过70个客户产品投片。相较于55纳米低功耗（55LP）技术，55ULP技术可大幅延长物联网相关产品的电池使用寿命。此外，55ULP亦整合了射频制程与嵌入式快闪存储器制程，能让客户的系统单芯片设计更为简单。